Jaime Mimila Arroyo

Investigador Cinvestav 3C, Categoría en el SNI: Nivel III

•  Teléfono: 5747-3800 ext 6251
• Correo: jmimila@cinvestav.mx 

Línea de Investigación:

• Materiales semiconductores
• Epitaxia de películas delgadas de materiales semiconductores GaAs, InP, GaN, BN ZnO.
• Crecimiento de semiconductores en cristal masivo.
• Caracterización de propiedades ópticas y eléctricas de materiales semiconductores.
• Diodos emisores de luz, transistores, MES-FET,
• celdas solares. HEMT Al GaN/GaN, H en los semiconductores.

Semblanza:

FORMACIÓN Y DESEMPEÑO PROFESIONAL

MAESTRIA CINVESTAV-I.P.N, 1974,.DOCTORADO Universidad París VI (Fr.) 1978. CINVESTAV-IPN, Profesor investigador 1978. Cuatro años trabajando en universidades de Francia. COLABORACIÓN con LABs de FRANCIA 1979 – 2019. EXPERIENCIA EN: Celdas solares (Silicio, CdS, CdTe, InGaP-GaAs, AlGaAs-GaAs), MESFET: de GaAs, BIPOLARES de: GaInP/GaAs y Silicio, HEMTS de AlGaN/GaN Epitaxia (CSVT)de GaAs, InP, GaP, CdTe, ZnO. Epitaxia por MBE: GaAs y AlGaAs,….

REALIZACIONES RELEVANTES:

• GRADUADOS: 29 Maestría y doctorado.
• 1er Modulo solar (Si) un Watt, 1972.
• 1ra Celda solar de CdTe-CSVT, 10 % Eficiencia (1978).
• 1er modelo teórico de transporte de masa por CSVT,
• 1er sistema DLTS (SEES-1983),
• 1er MESFET de GaAS por CSVT (1987).
• Explicación y solución del “Burn-In” en BJT de GaInP/GaAs,
• Determinación atrapamiento de carga en dislocaciones en n-GaN (2000).
• Mejora del HEMTs ALGaN/GaN por deuteración y verificación de estabilidad (2022).
• PATENTES en EUA:
• 1.-) Process to obtain semi-insulating ……useful to make electronic devices, N US 5,215,938(1993).
• 2.-). Method for using a bipolar transistor as a self-calibrated thermometer and/or temperature sensor N° US 7,853,424 B2(2010).
• CONSULTOR DE VARIAS EMPRESAS EUROPEAS FABRICANTES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (Thales, IQE, III-V Labs, PicoGiga,…) contribuyendo a la solución de problemas de físicos dispositivos ahora en el mercado.
• SNI Nivel III. 

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